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    • 真茂佳

    深圳真茂佳半導體有限公司

    存續(xù)
    • 地址：深圳市南山區(qū)西麗街道沙河西路健興科技大廈C座310
    • 簡介：-
    • 商標信息 4
    • 專利信息 35
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    • 作品著作權 0
    • 網(wǎng)站備案 2

    商標信息4

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 Z 09類-科學儀器 22428878 商標已注冊 2016-12-28 查看
    2 真茂佳 09類-科學儀器 22428877 撤銷/無效宣告申請審查中 2016-12-28 查看
    3 ZMJSEMI 09類-科學儀器 22428839 商標已注冊 2016-12-28 查看
    4 真茂佳 ZMJSEMI Z 09類-科學儀器 22428829 商標已注冊 2016-12-28 查看

    專利信息35

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 多源MOS管共用柵極電荷平衡芯片結構及其制造方法 發(fā)明專利 CN202111093115.6 CN113851524B 2022-06-14
    2 多柵極變化的場效晶體管結構及其制造方法、芯片裝置 發(fā)明專利 CN202110486545.8 CN113224133B 2022-05-17
    3 多源MOS管共用柵極的芯片結構及其制造方法 發(fā)明專利 CN202111006493.6 CN113725300B 2022-04-26
    4 嵌埋式柵極頂面接觸的場效晶體管結構及其制造方法 發(fā)明專利 CN202110530881.8 CN113284944B 2022-03-18
    5 一種SiCMOSFET器件 實用新型 CN202122378964.8 CN215933613U 2022-03-01
    6 一種SiCMOSFET器件 實用新型 CN202122375899.3 CN215933612U 2022-03-01
    7 氮化鎵HEMT芯片整合封裝結構與電子裝置 實用新型 CN202121863305.7 CN215933565U 2022-03-01
    8 一種VDMOS芯片及其電路應用結構 實用新型 CN202122088554.X CN215896409U 2022-02-22
    9 多槽間嵌埋柵極的場效晶體管結構及其制造方法 發(fā)明專利 CN202110701212.2 CN113437153B 2022-02-22
    10 功率半導體散熱封裝結構與電子裝置 實用新型 CN202122173610.X CN215869372U 2022-02-18

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    網(wǎng)站備案2

    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 深圳真茂佳半導體有限公司 www.zmjsemi.com 粵ICP備20036679號 企業(yè) 2020-05-09
    2 - www.zmjsemi.com 粵ICP備20036679號 企業(yè) 2020-05-09
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