一種Mist法制備氧化鎵薄膜的制備設(shè)計

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111363304.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114059042A 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN114059042A 申請公布日 2022-02-18
分類號 C23C16/40（2006.01）I;C23C16/56（2006.01）I;C23C16/448（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李培剛;季學強;李龍;陳梅艷;嚴旭 申請（專利權(quán)）人 北京鎵創(chuàng)科技有限公司
代理機構(gòu) 北京化育知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 閆露露
地址 101322北京市順義區(qū)昌金路趙全營段56號院1號樓3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種Mist法制備氧化鎵薄膜的制備設(shè)計，它包括以下步驟：步驟1：將乙酰丙酮鎵在常溫下溶于去離子水中，加入Ga金屬離子配置成前驅(qū)體溶液，并將將配置好的前驅(qū)體溶液與鹽酸溶液均勻混合；步驟2：將藍寶石襯底依次在在丙酮、乙醇、去離子水中超聲清洗10min后然后用氮氣吹干，再將藍寶石襯底放入Mist CVD裝置中進行薄膜生長。有益效果在于：本發(fā)明制備過程簡單，所用襯底為商業(yè)產(chǎn)品，來源廣，同時在制備過程中，采用商業(yè)化的制備方法Mist CVD生長大尺寸β?Ga2O3薄膜，工藝可控性強，易操作，所得薄膜表面致密、厚度穩(wěn)定均一、可大面積制備、重復性好，為氧化鎵基器件提供可靠的外延生長手段。