一種用于冷坩堝法制備氧化鎵單晶的坩堝設(shè)計(jì)和制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111361482.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114108086A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114108086A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-01 |
| 分類號(hào) | C30B29/16（2006.01）I;C30B1/10（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 李培剛;王進(jìn)進(jìn);李龍;陳梅艷;嚴(yán)旭 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 北京鎵創(chuàng)科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京化育知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 閆露露 |
| 地址 | 101322北京市順義區(qū)昌金路趙全營(yíng)段56號(hào)院1號(hào)樓3層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種用于冷坩堝法制備氧化鎵單晶的坩堝設(shè)計(jì)和制備方法，冷坩堝由坩堝壁、緩沖層以及氧化鎵擠壓層構(gòu)成，其中所述緩沖層附在所述坩堝壁內(nèi)側(cè)和所述氧化鎵擠壓層外側(cè)，所述坩堝壁的厚度大于所述氧化鎵擠壓層的厚度，所述緩沖層的厚度小于所述氧化鎵擠壓層的厚度。有益效果在于：本發(fā)明采用新型冷坩堝并借助冷坩堝法生長(zhǎng)氧化鎵單晶，有效避免了高溫熔體對(duì)坩堝的腐蝕，減少了坩堝對(duì)熔體的污染，同時(shí)不再需要使用銥金或鉑銠坩堝等貴金屬坩堝，極大地降低了制備氧化鎵單晶的坩堝成本，從而降低了制備氧化鎵單晶的的生產(chǎn)成本。 |
