基于β?Ga2O3/NSTO異質結可零功耗工作的日盲紫外光電探測器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610782045.8 申請日 -
公開（公告）號 CN106229373B 公開（公告）日 2017-07-28
申請公布號 CN106229373B 申請公布日 2017-07-28
分類號 H01L31/109(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭道友;王順利;時浩澤;吳杰濤;李培剛;唐為華;沈靜琴 申請（專利權）人 北京鎵創(chuàng)科技有限公司
代理機構 杭州求是專利事務所有限公司 代理人 鄭海峰
地址 101300 北京市順義區(qū)昌金路趙全營段56號院1號樓1層3070室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于β?Ga2O3/NSTO異質結可零功耗工作的日盲紫外光電探測器及其制備方法，具體是指采用磁控濺射在NSTO單晶襯底上生長高結晶度的β?Ga2O3薄膜作為光敏層，再在其上濺射直徑為3mm的半透明Au/Ti電極作為透光電極，并采用機械力分別壓印直徑約為0.2mm和2mm的In電極作為上電極和下電極，制備獲得的β?Ga2O3/NSTO異質結日盲紫外光電探測器。本發(fā)明首次采用商業(yè)化的NSTO單晶襯底與β?Ga2O3薄膜形成異質結結構用于日盲紫外光的探測，該異質結器件可工作于0V偏壓下，具有零功耗工作的特點。本發(fā)明中β?Ga2O3薄膜的生長采用商業(yè)化的磁控濺射方法，制備過程簡單，工藝可控性強，易操作，所得薄膜表面致密、厚度穩(wěn)定均一、可大面積制備、重復性好等優(yōu)勢。該發(fā)明制備的零功耗β?Ga2O3/NSTO異質結光電探測器在日盲紫外探測領域具有潛在的應用前景。