一種單雙極共存雙層薄膜結(jié)構(gòu)阻變儲(chǔ)存器及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510613307.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105226182B 公開(kāi)（公告）日 2018-01-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN105226182B 申請(qǐng)公布日 2018-01-12
分類(lèi)號(hào) H01L45/00;H01L27/115 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 李培剛;支鈺崧;汪鵬超;王順利;李超榮;唐為華;沈靜琴 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 北京鎵創(chuàng)科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州求是專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 代理人 鄭海峰
地址 101300 北京市順義區(qū)昌金路趙全營(yíng)段56號(hào)院1號(hào)樓1層3070室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種單雙極共存雙層薄膜結(jié)構(gòu)阻變儲(chǔ)存器及其制備方法。該阻變存儲(chǔ)器具有結(jié)構(gòu)穩(wěn)定和單雙極共存的存儲(chǔ)性能，具體是指以金屬Ti/Au為上電極、以ITO作為襯底和下電極，利用射頻磁控沉積技術(shù)在ITO襯底上先后鍍上Cu2O和Ga2O3薄膜而形成阻變層，最后利用射頻磁控濺射的方法在ITO的襯底上和已經(jīng)鍍氧化鎵的薄膜上濺射鈦(Ti)和金(Au)薄膜，從而得到了ITO/Cu2O/Ga2O3/Ti/Au結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器件，并實(shí)現(xiàn)了單雙極阻變共存、穩(wěn)定的保持特性的存儲(chǔ)性能。本發(fā)明的優(yōu)越性在于：通過(guò)異質(zhì)結(jié)界面處缺陷的移動(dòng)而產(chǎn)生單雙極阻變,制備的阻變存儲(chǔ)器件具有穩(wěn)定的保持特性、循環(huán)特性等多種優(yōu)異的阻變存儲(chǔ)性能，即綜合存儲(chǔ)性能的顯著提高。