一種具有半封閉原胞的絕緣柵雙極型晶體管器件結(jié)構(gòu)
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201610840694.9 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN107863383A | 公開(公告)日 | 2018-03-30 |
| 申請公布號 | CN107863383A | 申請公布日 | 2018-03-30 |
| 分類號 | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/417;H01L29/423 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李宇柱 | 申請(專利權(quán))人 | 常州中明半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 黃智明 |
| 地址 | 213200 江蘇省常州市金壇經(jīng)濟開發(fā)區(qū)華城路1668號國際工業(yè)城 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 一種具有半封閉原胞的絕緣柵雙極型晶體管器件結(jié)構(gòu),頂部包括有源溝槽和虛擬溝槽兩種溝槽;有源溝槽和虛擬溝槽組成半封閉的結(jié)構(gòu);有源溝槽和虛擬溝槽之間有縫隙;所有溝槽都至少穿透了部分CS層到達(dá)N?漂移層,并在部分N?漂移層中延伸一段距離;CS層的上方是P型基區(qū);P型基區(qū)上面還設(shè)有N+發(fā)射區(qū)和P+接觸區(qū),并通過接觸窗口和發(fā)射極電極相連。 |





