一種具有半封閉原胞的絕緣柵雙極型晶體管器件結構
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201610840694.9 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN107863383B | 公開（公告）日 | 2021-05-07 |
| 申請公布號 | CN107863383B | 申請公布日 | 2021-05-07 |
| 分類號 | H01L21/331(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 李宇柱 | 申請（專利權）人 | 常州中明半導體技術有限公司 |
| 代理機構 | 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人 | 黃智明 |
| 地址 | 213200江蘇省常州市金壇經(jīng)濟開發(fā)區(qū)華城路1668號國際工業(yè)城 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種具有半封閉原胞的絕緣柵雙極型晶體管器件結構，頂部包括有源溝槽和虛擬溝槽兩種溝槽；有源溝槽和虛擬溝槽組成半封閉的結構；有源溝槽和虛擬溝槽之間有縫隙；所有溝槽都至少穿透了部分CS層到達N?漂移層，并在部分N?漂移層中延伸一段距離；CS層的上方是P型基區(qū)；P型基區(qū)上面還設有N+發(fā)射區(qū)和P+接觸區(qū)，并通過接觸窗口和發(fā)射極電極相連。?? |
