一種適用于兩節(jié)鋰電池保護(hù)芯片CMOS基準(zhǔn)源

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110026784.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102117088B 公開（公告）日 2012-09-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN102117088B 申請(qǐng)公布日 2012-09-05
分類號(hào) G05F1/56(2006.01)I 分類 控制；調(diào)節(jié);
發(fā)明人 楊躍;林秀龍;宋勇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 四川永志融資擔(dān)保有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都行之專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 梁田
地址 610000 四川省成都市成都高新區(qū)世紀(jì)城南路216號(hào)天府軟件園D區(qū)6號(hào)樓14層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公布了一種適用于兩節(jié)鋰電池保護(hù)芯片CMOS基準(zhǔn)源，包括啟動(dòng)電路、PTAT產(chǎn)生電路、CTAT產(chǎn)生電路、第一基準(zhǔn)產(chǎn)生電路、第二基準(zhǔn)產(chǎn)生電路、以及三個(gè)關(guān)斷控制電路。本發(fā)明只包含NMOS管,PMOS管和電阻，沒有三極管，電路結(jié)構(gòu)和制備工藝都相對(duì)簡(jiǎn)單；第一基準(zhǔn)產(chǎn)生電路和第二基準(zhǔn)產(chǎn)生電路輸出的基準(zhǔn)用于分別保護(hù)芯片比較器關(guān)于過充電，過放電，過電流的保護(hù)基準(zhǔn)，其溫度系數(shù)低、功耗低；適用于CMOS工藝實(shí)現(xiàn)。