一種PERC晶硅太陽(yáng)能電池及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110919743.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113809184A 公開(kāi)（公告）日 2021-12-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN113809184A 申請(qǐng)公布日 2021-12-17
分類號(hào) H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/068（2012.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李志云;蔣柱;李躍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 東方日升（安徽）新能源有限公司
代理機(jī)構(gòu) 滁州創(chuàng)科維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 洪余節(jié)
地址 239000安徽省滁州市常州路以東、海寧路以南、滁州大道以西、銅陵路以北
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種PERC晶硅太陽(yáng)能電池及其制備方法，涉及PERC晶硅太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，制備方法，包括以下步驟；S1：在硅基體正面形成第一氧化硅膜層；S2：在硅基體正面第一氧化硅膜層表面形成SiC：H膜層；其中，形成SiC：H膜層為通入反應(yīng)氣體SiH4、CH4進(jìn)行沉積，通入時(shí)間為10～30秒，反應(yīng)氣體SiH4和CH4的通入流量比為1：（2～10），本發(fā)明在硅基體正面和背面分別采用SiC：H膜層加氮化硅或氮氧化硅膜層替代傳統(tǒng)氮化硅組合膜層以及氧化鋁疊加氮化硅膜層，通過(guò)在形成SiC：H膜層時(shí)調(diào)節(jié)通入的CH4比例，以實(shí)現(xiàn)對(duì)C含量進(jìn)行調(diào)整，C含量越高導(dǎo)電性越好，以實(shí)現(xiàn)對(duì)SiC：H膜層導(dǎo)電性以及不同波長(zhǎng)透光率進(jìn)行調(diào)整。