一種TSV背面漏孔的封裝結構及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310106597.3 申請日 -
公開（公告）號 CN103219303B 公開（公告）日 2015-10-14
申請公布號 CN103219303B 申請公布日 2015-10-14
分類號 H01L23/48(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 于大全;薛愷 申請（專利權）人 江蘇中科物聯(lián)網(wǎng)科技創(chuàng)業(yè)投資有限公司
代理機構 無錫市大為專利商標事務所（普通合伙） 代理人 華進半導體封裝先導技術研發(fā)中心有限公司;上海國增知識產(chǎn)權服務有限公司
地址 214135 江蘇省無錫市無錫國家高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園D1棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種TSV背面漏孔的封裝結構及方法，其包括襯底，襯底內(nèi)設有貫通的信號連接通孔與工藝監(jiān)控通孔，所述信號連接通孔的側壁及工藝監(jiān)控通孔的側壁均覆蓋有絕緣層，且所述絕緣層覆蓋襯底的第一主面；信號連接通孔內(nèi)填充有信號連接導體，工藝監(jiān)控通孔內(nèi)填充有監(jiān)控填充體；襯底的第一主面上設置用于與信號連接導體電連接的第一連接導體，襯底的第二主面上設置與信號連接導體電連接的第二連接導體，且第二連接導體通過信號連接導體與第一連接導體電連接；第二連接導體與襯底絕緣隔離，第一連接導體通過絕緣層與襯底絕緣隔離。本發(fā)明結構緊湊，工藝步驟簡單，避免金屬污染，加工精度高，適應范圍廣，安全可靠。