散熱集成的電路芯片及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910079338.3 申請日 -
公開（公告）號 CN109671685A 公開（公告）日 2019-04-23
申請公布號 CN109671685A 申請公布日 2019-04-23
分類號 H01L23/367（2006.01）I; H01L23/498（2006.01）I; H01L21/48（2006.01）I; H01L21/60（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫海燕; 葛明敏; 趙繼聰; 黃靜; 孫玲; 方家恩; 彭一弘 申請（專利權(quán)）人 成都芯銳科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 江蘇隆億德律師事務(wù)所 代理人 南通大學(xué); 成都芯銳科技有限公司
地址 226019 江蘇省南通市崇川區(qū)嗇園路9號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供散熱集成的電路芯片，包括SOI片，SOI片自上而下包括頂層硅、絕緣層及底層硅，SOI片縱向設(shè)置多個垂直通孔，垂直通孔貫穿絕緣層及底層硅，各垂直通孔內(nèi)均設(shè)置導(dǎo)電導(dǎo)熱柱，導(dǎo)電導(dǎo)熱柱底端裸露于底層硅下表面，垂直通孔內(nèi)側(cè)壁設(shè)置電學(xué)隔離層，至少部分?jǐn)?shù)量的導(dǎo)電導(dǎo)熱柱端部抵于頂層硅底部，電路芯片還包括制成于頂層硅的集成電路，至少部分導(dǎo)電導(dǎo)熱柱端部與集成電路電學(xué)連接。本發(fā)明具有優(yōu)異的散熱性能，可與各種集成電路整合。另一方面，本發(fā)明還提供了上述芯片的制作方法。