一種低溫碳包覆多孔硅復(fù)合負(fù)極材料及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010166721.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111653735A | 公開（公告）日 | 2020-09-11 |
| 申請公布號 | CN111653735A | 申請公布日 | 2020-09-11 |
| 分類號 | H01M4/36(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 趙東輝;周鵬偉;白宇;李二威 | 申請（專利權(quán)）人 | 深圳市翔豐華科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廈門市新華專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 深圳市翔豐華科技股份有限公司 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市龍華新區(qū)龍華街道清祥路1號寶能科技園9棟C座20樓J單元 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開一種低溫碳包覆多孔硅復(fù)合負(fù)極材料及其制備方法，通過先將商用SiO2經(jīng)噴霧干燥得到微米級SiO2粉體，再經(jīng)鋁熱還原、酸洗、干燥得到多孔硅粉，最后以有機(jī)物為碳源在Si表面包覆碳層得到硅碳復(fù)合負(fù)極材料。該方法操作簡單、易于控制，成本可控，適合大規(guī)模生產(chǎn)。制得的電極具有高容量、高倍率和良好的循環(huán)性能，適用于鋰離子電池。?? |
