二維溝道器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111203318.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113937001A 公開（公告）日 2022-01-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN113937001A 申請(qǐng)公布日 2022-01-14
分類號(hào) H01L21/335（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L29/24（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉金營(yíng) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海積塔半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)云水路600號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種二維溝道器件及其制備方法。器件包括半導(dǎo)體基底、二維溝道材料層和柵極結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體基底內(nèi)形成有源極、漏極和溝道區(qū)，二維溝道材料層位于源極、漏極和溝道區(qū)的表面，溝道區(qū)內(nèi)填充有絕緣材料層，柵極結(jié)構(gòu)位于溝道區(qū)的上表面，柵極結(jié)構(gòu)的橫向尺寸小于源極及漏極之間的間距，柵極結(jié)構(gòu)自下而上包括柵氧化層、柵介質(zhì)層和功函數(shù)金屬層。本發(fā)明采用二維材料層作為器件溝道，利用二維材料具有較高的電子遷移率，其本征表面無(wú)懸掛鍵等特點(diǎn)，可降低表面載流子散射和柵界面態(tài)，從而使器件尺寸進(jìn)一步縮小的同時(shí)提高器件性能。且制備過程中，器件溝道下的絕緣材料層通過掏空半導(dǎo)體材料層再回填氧化硅等絕緣材料的方式形成，可減少漏電的可能。