IGBT器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111123423.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113851379A 公開（公告）日 2021-12-28
申請公布號 CN113851379A 申請公布日 2021-12-28
分類號 H01L21/331（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曹功勛 申請（專利權）人 上海積塔半導體有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 羅泳文
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿易試驗區(qū)臨港新片區(qū)云水路600號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種IGBT器件及其制作方法，IGBT器件包括：襯底，襯底包括相對的第一主面及第二主面，第一主面形成有IGBT器件的正面結構；第一導電類型緩沖區(qū)，位于襯底的第二主面內；集電極區(qū)，位于襯底的第二主面；氦離子缺陷層，位于襯底的第二主面，且氦離子缺陷層位于第一導電類型緩沖區(qū)內。本發(fā)明通過在IGBT器件背面增加氦離子缺陷層，實現(xiàn)在不影響通態(tài)壓降的基礎下，有效降低IGBT器件的關斷損耗，實現(xiàn)IGBT器件的通態(tài)壓降與關斷損耗的折中曲線往坐標原點靠近，可大大提升IGBT器件的性能。