一種IGBT芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121736458.5 申請日 -
公開（公告）號 CN215299259U 公開（公告）日 2021-12-24
申請公布號 CN215299259U 申請公布日 2021-12-24
分類號 H01L29/739（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 翟露青 申請（專利權(quán)）人 淄博美林電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 淄博佳和專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 孫愛華
地址 255000山東省淄博市張店區(qū)張柳路6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種IGBT芯片，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括P型注入?yún)^(qū)（13），在P型注入?yún)^(qū)（13）上方依次設(shè)置有N型緩沖區(qū)（12）和N型漂移區(qū)（10），在N漂移區(qū)（10）的邊緣處設(shè)置有耐壓環(huán)（5），其特征在于：在所述耐壓環(huán)（5）的外側(cè)設(shè)置有絕緣層（4），絕緣層（4）自耐壓環(huán)（5）的頂部向下延伸至N型漂移區(qū)（10）處。在本IGBT芯片中，通過在終端區(qū)的外側(cè)形成絕緣層，減少了芯片外側(cè)終端區(qū)的寬度，因此在相同的面積下增加了芯片有效區(qū)的面積，提高了電流的導(dǎo)通能力。相比較現(xiàn)有技術(shù)中氮化硅或者氧化硅鈍化技術(shù)，使用玻璃鈍化技術(shù)，能更好的抑制漏電流的產(chǎn)生，提高芯片的耐高溫能力，提升了芯片的可靠性。