耐高溫磁體及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111120165.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113871121A 公開（公告）日 2021-12-31
申請公布號 CN113871121A 申請公布日 2021-12-31
分類號 H01F1/057（2006.01）I;H01F41/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王傳申;彭眾杰;楊昆昆;丁開鴻 申請（專利權(quán)）人 煙臺東星磁性材料股份有限公司
代理機構(gòu) 青島發(fā)思特專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 于美霞
地址 265500山東省煙臺市福山區(qū)永達街888號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種耐高溫磁體及制造方法，屬于磁體制備領(lǐng)域，通過設(shè)計晶界為低熔點磁體，并在該磁體上形成具有特殊擴散源，進行擴散、時效處理，得到高性能耐高溫的釹鐵硼磁體。低重稀土擴散源化學(xué)式為R1xR2yHzM1?x?y?z，其中R1是指Nd，Pr中的至少一種，R2為Ho、Gd中至少一種，H是指Tb，Dy中的至少一種，M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn中至少一種，其中15＜x＜50，0＜y≤10，40≤z≤70，比例為重量百分比，得到具有晶界結(jié)構(gòu)包括主相，殼層和特定成分的三角區(qū)點掃成分。本發(fā)明所述的一種耐高溫磁體及制造方法，耐高溫性能和矯頑力均有大幅度地提升。