低成本稀土磁體及制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111121731.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113871123A 公開（公告）日 2021-12-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN113871123A 申請(qǐng)公布日 2021-12-31
分類號(hào) H01F1/057（2006.01）I;H01F41/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王傳申;楊昆昆;彭眾杰;丁開鴻 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 煙臺(tái)東星磁性材料股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 青島發(fā)思特專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 郭繼艷
地址 265500山東省煙臺(tái)市福山區(qū)永達(dá)街888號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及釹鐵硼磁體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種低成本稀土磁體及制造方法。低成本稀土磁體由釹鐵硼合金及涂覆在所述釹鐵硼合金表面的擴(kuò)散源薄膜制備而成，所述釹鐵硼合金由釹鐵硼合金原料、低熔點(diǎn)粉料和其他添加劑混合制備而成，所述混合低熔點(diǎn)粉料含有CeCu、CeAl和CeGa，所述擴(kuò)散源具有式R1xR2yHzM1?x?y?z所示的組成，其中R1是指Nd，Pr中的至少一種，R2為Ho、Gd中至少一種，H是指Tb，Dy中的至少一種，M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn中至少一種，本發(fā)明的有益之處是較少重稀土含量的情況下，大幅增加磁體的矯頑力，降低磁體的生產(chǎn)成本。